
凯发k8旗舰厅ag无锡华润上华“半导体器件结构及其加工方法”专利公布|歪歪漫画登
来源:凯发k8·[中国]官方网站 发布时间:2024-10-09

天眼查显示ღღ◈,无锡华润上华科技有限公司“半导体器件结构及其加工方法”专利公布凯发k8旗舰厅ag凯发k8旗舰厅agღღ◈,申请公布日为2024年4月5日歪歪漫画登录首页页面中心歪歪漫画登录首页页面中心凯发k8旗舰厅agღღ◈,申请公布号为CN117832073Aღღ◈。
本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法凯发k8旗舰厅agღღ◈,所述方法包括ღღ◈:获取基底ღღ◈;图案化所述基底ღღ◈,在所述基底的第一区域形成从所述基底的第一表面向基底内延伸的至少一沟槽凯发k8旗舰厅agღღ◈,所述第一区域除各所述沟槽之外的位置残留有基底结构ღღ◈;各所述沟槽的深宽比均大于1/2歪歪漫画登录首页页面中心ღღ◈,所述第一区域残留的所述基底结构的高宽比大于1/2ღღ◈;淀积目标材料填充各所述沟槽ღღ◈;通过光刻和刻蚀去除所述第一区域残留的所述基底结构ღღ◈;淀积所述目标材料填充所述去除的所述基底结构的位置ღღ◈。本发明能够通过两次淀积厚度较薄的淀积工艺歪歪漫画登录首页页面中心ღღ◈,实现传统工艺所不具备的深度十几至上百微米的小深宽比的深槽填充ღღ◈,工艺较简单歪歪漫画登录首页页面中心ღღ◈,成本较低歪歪漫画登录首页页面中心凯发k8旗舰厅agღღ◈。AG凯发k8真人娱乐ღღ◈,半导体ღღ◈。K8天生赢家一触发ღღ◈,凯发k8天生赢家一触即发ღღ◈,凯发国际官网ღღ◈。